Kürzlich erzielte das Jifengshan -Labor einen signifikanten technologischen Durchbruch im Bereich von Indium -Phosphid (INP) -Materialien und entwickelte erfolgreich einen epitaxialen Wachstumsprozess für 6 - Zoll INP - -basierte Pin -Struktur -Detektoren und FP -Struktur -Laser. Wichtige Leistungsindikatoren haben international führende Niveaus erreicht. Diese Leistung markiert die erste häusliche Leistung im Bereich der großflächigen INP-Materialproduktion, wobei die koordinierte Anwendung von Kernausrüstung zu Schlüsselmaterialien erreicht wird und wichtige Unterstützung für die industrielle Entwicklung optoelektronischer Geräte bietet.
Als Kernmaterial in optischer Kommunikation, Quantencomputer und anderen Feldern hat die industrielle Anwendung von INP seit langem technischen Engpässen in großem - skalierter Produktion. Der Mainstream-Prozess der Branche bleibt in der 3-Zoll-Phase, und die hohen Kosten können das explosive Wachstum der nachgelagerten industriellen Anwendungen nicht erfüllen.
Leveraging domestic MOCVD equipment and InP substrate technology, the Jiufengshan Laboratory has overcome the challenges of controlling large-scale epitaxial uniformity and developed the first epitaxial growth process for 6-inch indium phosphide (InP)-based PIN structure detectors and FP structure lasers. Wichtige Leistungsindikatoren haben international führende Werte erreicht und die Grundlage für die großräumige Produktion von 6-Zoll-Indiumphosphid (INP) optischen Chips (INP) gelegt.
Materialeigenschaften:
• FP -Laserquanten -Well -PL -Emissionswellenlänge innerhalb des Chips hat eine in - Chip -Standardabweichung von<1.5nm, and composition and thickness uniformity is <1.5%.
• Die Hintergrundkonzentration des Pin -Detektormaterials ist<4×10¹⁴cm⁻³, and mobility is >11.000 cm²/V · s.
Jiufengshan Labor -Epitaxialprozessteam
Gegen die schnelle Entwicklung der globalen Optoelektronikindustrie ist die Nachfrage nach Indiumphosphid (INP) in optischen Kommunikation, Lidar, Terahertz -Kommunikation und anderen Bereichen ein explosives Wachstum. Laut Yole Dévelcpement wird der INP Optoelectronics -Markt voraussichtlich im Jahr 2027 5,6 Milliarden US -Dollar mit einer zusammengesetzten jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 14%erreichen. Der Durchbruch im 6-Zoll-Indium-Phosphid (INP) -Prozess wird voraussichtlich die Kosten für optische Inlandschips auf 60% -70% des 3-Zoll-Prozesses senken, wodurch die Marktwettbewerbsfähigkeit der inländischen optischen Chips verbessert wird.
