Wafer Stealth -Würfeln
Haffer-Stealth-Schneiden von Laser-Stealth-Schneiden durch die einzelnen Impulse des gepulsten Lasers durch die optische Formung, so dass es im inneren Fokus des Materials durch die Oberfläche des Materials im fokalen Bereich der höheren Energiedichte, die Bildung von Multi-Photon-Absorptionsabsorptionsabsorptionseffekten, so dass die Materialmodifizierung der Bildung der Risse der Risse.
Jede Laserimpuls -äquidistante Wirkung, die Bildung von äquidistanten Schäden kann im Material in einer modifizierten Schicht gebildet werden. An der Stelle der modifizierten Schicht werden die molekularen Bindungen des Materials gebrochen und die Verbindungen des Materials zerbrechlich und leicht zu trennen. Nach dem Schneiden ist das Produkt vollständig getrennt, indem der Trägerfilm gestreckt und eine Spalt von Chip-to-Chip-Lücke erstellt wird. Als Trockenprozess bietet Laser -Stealth -Schneiden die Vorteile von hoher Geschwindigkeit, hoher Qualität (keine oder sehr wenig Trümmer) und niedrigem Kerf -Verlust.
TGV-Durchlochverarbeitung
TGV-Durchloch-Verarbeitungslaser-induzierter Denaturierung zur Erzeugung von TGV-Durchlöchern besteht der Hauptmechanismus darin, das Glas zu induzieren, um eine kontinuierliche Denaturierungszone durch gepulste Laser zu erzeugen, verglichen mit der unbestreiteten Region des Glass. Die Denaturierung des Glases in der Heugluorus-Säure-Geschwindigkeit ist basierend auf diesem Phänomen, auf dem in der Glasfeier hergestellt werden kann.
Auf dem Gebiet der Halbleiterverpackung wird TGV von der Halbleiterindustrie allgemein als Schlüsseltechnologie für die dreidimensionale Integration der nächsten Generation anerkannt. Unabhängig davon, ob es sich um ein Siliziumbasis oder ein Glasbasis handelt, ist die durchläufige Metallisation eine aufstrebende vertikale Verbindungstechnologie, die auf das Gebiet der Vakuumverpackung auf Waferebene angewendet wird. Die durchläufige Metallisationstechnologie ist eine aufstrebende Längsschnittverbindungs-Technologie, die in Vakuumverpackungen auf Wafelebene angewendet wird und eine neue technische Möglichkeit bietet, die Verbindung mit der minimalen Chip-to-Chip-Tonhöhe mit hervorragenden elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften zu realisieren.
