Xi'an Lixin Optoelectronics bringt eine neue Generation von 1470-nm-Hochleistungs-Halbleiterlaserchips auf den Markt

Am 30. Januar berichtete das offizielle Microblogging von Xi'an Lixin Optoelectronics Technology Co., Ltd (im Folgenden als „Lixin Optoelectronics“ bezeichnet), dass das Unternehmen einen 1470-nm-Halbleiterlaserchip mit einer Ausgangsleistung von 3 W und einer hohen Umwandlungseffizienz auf den Markt gebracht habe , hohe Zuverlässigkeit, Modusstabilität, kann individuell angepasst werden usw., die Hauptanwendungen in der Biomedizin, Laserausrüstung, Schönheit, wissenschaftlicher Forschung und anderen Bereichen. , Kosmetologie, wissenschaftliche Forschung und andere Bereiche.
Der dieses Mal eingeführte 1470-nm-Halbleiterlaserchip bietet zwei wesentliche Produktvorteile:
1, das neue 1470-nm-Chipmodell LC-UMC-95-1470-TE-3-2.0-D1, Ausgangsleistung 3 W, lichtemittierende Streifenbreite 95 μm, Hohlraumlänge 2 mm, photoelektrische Umwandlungseffizienz von 25 %. Chip-Leben in der aktuellen 12A, Wassertemperatur 30 Grad, 1000H Alterungsbedingungen ohne nennenswerte Verschlechterung, Leistung nach dem Vergleich mit in- und ausländischen Wettbewerbern, hat das inländische Spitzenniveau erreicht.
2, der Laserchip der LC-UMC-14XX-Serie wurde von Lixin Optoelectronics entwickelt und hergestellt, die Wellenlängentoleranzbereichssteuerung beträgt weniger als 10 nm, die Grenzausgangsleistung beträgt 4 W.
Der Einleitung zufolge hat das Produkt drei große technologische Durchbrüche erzielt:
1, vom Chipdesign über das Wachstum des Epitaxiematerials, den Vorbereitungsprozess, die Leistungsüberprüfung und andere Aspekte der unabhängigen Herstellung, um vom Epitaxiematerial bis zum Chip völlig unabhängig und kontrollierbar zu sein;
2, Erweiterung der Produktlinie des Unternehmens und Erweiterung des Layouts der Produkte der LC-14XX-Serie.
3. Der 1470-nm-Chip legt den Grundstein für das spätere Layout der Produkte der Indiumphosphid-Serie.
Xi'an Lixin Optoelectronics verfügt über ein technisches Team aus in- und ausländischen Experten und eine fortschrittliche Produktionslinie für die Herstellung von Verbindungshalbleiter-Laserchips, die sich hauptsächlich mit der Forschung an Hochleistungs-Halbleiterlasern auf Galliumarsenid- und Indiumphosphid-Basis für Epitaxie-, Chip- und Verpackungsmodulprodukte beschäftigt und Entwicklung, Produktion und Vertrieb sowie die Erbringung damit verbundener technischer Dienstleistungen. Das Unternehmen hat eine komplette Prozessplattform und Massenproduktionslinie aufgebaut, die Chipdesign, Epitaxiewachstum, Chipherstellung, Geräteverpackung, Zuverlässigkeitstests usw. umfasst und völlig unabhängig und kontrollierbar ist. Die Produkte decken das 755-nm-1550-nm-Band mit einer Leistung von Milliwatt bis Kilowatt ab und werden hauptsächlich in der industriellen Verarbeitung, Glasfaserkommunikation, Laseranzeige, medizinischen Kosmetologie, wissenschaftlichen Forschung, Druck, Beleuchtung und anderen Bereichen eingesetzt.